Comparação de propriedades de carboneto de boro e carboneto de silício.
Propriedade Unidade SiC B4C
Densidade g/cm3 3,21 2,51
Ponto de fusão ° C 2.760 2.450
Dureza Vickers 2.600 3.000
Resistência à compressão MPa 2.200 2.800
Módulo de Young GPa 410 450
Tenacidade à Fratura K IC MPam 1/2 3,2 3,0
Resistividade Elétrica ohm.m 10 3-104 10-103
Coeficiente de Expansão Térmica 10 -6 K -1 4,0 4,6
Condutividade Térmica Wm-1K-1 110 35
Resistência ao Choque Térmico – Boa Baixa
Temperatura de Aplicação (no Ar) ° C Max 1.600 500
Fonte: Desenvolvimento de produto com cerâmica SiC e B4C, P Feinle, H Knoch, 3º Simpósio Europeu de Cerâmica de Engenharia, Ed. FL Riley, Elsevier, 1991